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MMBTH10LT1G  与  BFR 193L3 E6327  区别

型号 MMBTH10LT1G BFR 193L3 E6327
唯样编号 A3-MMBTH10LT1G A-BFR 193L3 E6327
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 三极管/双极型晶体管 RF三极管
描述 MMBTH Series 25 V 100 nA Surface Mount NPN Silicon VHF/UHF Transistor - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
最大直流电集电极电流 - 0.08A
宽度 - 1.3mm
功率 - 0.58W
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - 70 @ 30mA,8V
工作频率 - 8000MHz
增益 - 12.5dB ~ 19dB
电压 - 集射极击穿(最大值) - 12V
集电极—基极电压 VCBO - 20V
集电极—发射极最大电压 VCEO - 12V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 80mA
FET类型 - NPN
封装/外壳 SOT-23 -
直流电流增益 hFE 最大值 - 70at30mAat8V
工作温度 - 150°C(TJ)
系列 - BFR193L3
配置 - Single
长度 - 2.9mm
频率 - 跃迁 - 8GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) - 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
高度 - 1mm
发射极 - 基极电压 VEBO - 2V
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MMBTH10LT1G ON Semiconductor  数据手册 三极管/双极型晶体管

SOT-23

暂无价格 3,000 当前型号
BFS17NTA Diodes Incorporated  数据手册 RF三极管

SOT-23-3 NPN 11V 50mA 3.2GHz

暂无价格 0 对比
MMBTH10-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-23 300mW NPN 25V 50mA 500mV 60 650MHz

暂无价格 0 对比
BFR 193L3 E6327 Infineon  数据手册 RF三极管

BFR193L3E6327XTMA1_

暂无价格 0 对比
BFP 843F H6327 Infineon RF晶体管

BFP843FH6327XTSA1_

暂无价格 0 对比

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